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架空绝缘电缆检测项目——1kV架空绝缘电缆检测项目与检测标准 1kV架空绝缘电缆检验项目 绝缘平均厚度、绝缘最薄处厚度 外径 电缆拉断力 导体电阻 电压试验 绝缘老化前抗张强度 绝缘老化前断裂伸长率 绝缘老化后抗张强度 绝缘老化后抗张强度变化率...查看详情>>
架空绝缘电缆检测项目——1kV架空绝缘电缆检测项目与检测标准
1kV架空绝缘电缆检验项目
收起百科↑ 最近更新:2018年11月28日
检测项:晶体管集电极-发射极击穿电压V(BR)CEX 检测样品:晶体管 标准:《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997
检测项:湿热试验 检测样品:军用及民品电子、通讯、机械类设备 标准:《军用装备实验室环境试验方法 第3部分:高温试验》 GJB 150.3A-2009
检测项:正向电压VF 检测样品:二极管 标准:《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997
机构所在地:陕西省咸阳市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极击穿电压BVceo 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
检测项:基极-发射极饱和电压Vbes 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
检测项:集电极-发射极饱和电压Vces 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:晶体管电特性测试 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
检测项:直流耐电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
检测项:交流耐电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
机构所在地:贵州省遵义市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和压降VCE(sat) 检测样品:光耦合器 标准:1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分:光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
检测项:基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:场效应 晶体管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 方法3011
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:晶闸管 标准:半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T15291-1994
检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:集电极--发射极饱和电压VCES 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极--发射极击穿电压BVCEO 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:基极--发射极饱和电压VBES 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
机构所在地:河南省洛阳市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项:集电极-发射极电流 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项:集电极-基极击穿电压, 发射极-基极击穿电压 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
机构所在地:湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
检测项:集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
机构所在地:河南省郑州市 更多相关信息>>